Fabrication process of CMOS - CMOS 제작 공정
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작성일 23-01-27 01:03
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팬아웃 용량도 크다
웨이퍼제작
쵸크랄스키 성장법 : 석영도가니 속의 고순도 실리콘은 고주파 유도 가열에 의해 융점보다 약간높은 온도가 유지 → 씨결정(단결정 실리콘 조각)을 액면에 접촉하고 축을 회전 시키면서 시간당50~100nm의 속도로 끌어올리면 씨결정과 같은 방향으로 원통형의 단결정 성장(실리콘 잉곳) →붕소 첨가 시에는 p형, 비소 첨가 시에는 n형 실리콘 잉곳이 됨. 잉곳은 선반 같은 도구로 일정한 지름을 갖도록 가공됨.(산화로,CVD로,확산로 공정에 적합하게 만들기)
다. 전원 전압의 넓은 범위에서 동작하고, TTL에 적합하며 동일 회로 내에서 공존 가능하다. 팬아웃 용량도 크다
실리카 → 환원 → 다결정 상태의 고순도 실리콘 → 쵸크랄스키 성장법 → 단결정 고순도 실리콘
CMOS - 표면 상태밀도가 비교적 작은 (100) - 주플랫, 보조플랫, 90°, 180°
p 채널의 MOS 트랜지스터와 n 채널의 그것을 서로 절연하여 동일 칩에 만들어 넣어 양자가 상보적으로 동작하도록 한 것으로, 소비 전력은 μW 정도이고 동작은 고속, 잡음 배제성이 좋다.
BJT공정 - (111) 에피택셜 성장속도 빠름 - 주 플랫, 보조플랫 45°
플랫을 두개 만듦 → 주 플랫(자동정렬, 집적회로를 웨이퍼의 결정 방향에 맞게)
보조플랫(잉곳의 타입, 웨이퍼 방향)
순서
설명
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Fabrication process of CMOS - CMOS 제작 공정
한쪽 표면은 광학거울 수준의 완벽한 평면
주로 p형을 많이 사용, 24장 = 1 lot, 공정은 lot단위로 수행
Fabrication process of CMOS,CMOS 제작 공정
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p 채널의 MOS 트랜지스터와 n 채널의 그것을 서로 절연하여 동일 칩에 만들어 넣어 양자가 상보적으로 동작하도록 한 것으로, 소비 전력은 μW 정도이고 동작은 고속, 잡음 배제성이 좋다. 전원 전압의 넓은 범위에서 동작하고, TTL에 적합하며 동일 회로 내에서 공존 가능하다.
